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IPB110P06LM-TP
P沟道功率MOSFET
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- 描述
- 场效应管(MOSFET)
- 品牌名称
- TECH PUBLIC(台舟)
- 商品型号
- IPB110P06LM-TP
- 商品编号
- C48995522
- 商品封装
- TO-263
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 110A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 6.5mΩ@10V | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 81nC | |
| 输入电容(Ciss) | 5.56nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 50pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 输出电容(Coss) | 934pF |
商品概述
SFR9034TM采用先进的沟槽技术，可提供出色的导通电阻RDS(ON)、低栅极电荷，并能在低至4.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
商品特性
- 漏源电压VDS = - 60V，漏极电流ID = - 10A
- 当栅源电压VGS = 10V时，导通电阻RDS(ON) < 140mΩ
应用领域
-反接电池保护-负载开关-电源管理-PWM应用