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PE42520C-Z
9kHz-13GHzSPDT吸收型射频开关
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- 描述
- PE42520是一款宽带通用SPDT吸收型射频开关，适用于测试/ATE和其他高性能无线应用。该开关在9kHz至13GHz的频率范围内具有出色的射频性能和线性度。
- 品牌名称
- pSemi(游隼半导体)
- 商品型号
- PE42520C-Z
- 商品编号
- C500478
- 商品封装
- QFN-16-EP(3x3)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.056克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 射频开关 | |
| 频率 | 9kHz~13GHz | |
| 隔离度 | 18dB |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 插入损耗 | 2dB | |
| 工作电压 | 2.3V~5.5V | |
| 工作温度 | -40℃~+85℃ |
商品概述
PE42520单刀双掷（SPDT）吸收式射频开关专为测试/自动测试设备（ATE）和其他高性能无线应用而设计。这款宽带通用开关在9 kHz至13 GHz频率范围内保持出色的射频性能和线性度。该开关是PE42552的引脚兼容升级版，在50Ω、8 GHz条件下，其连续波（CW）功率处理能力高达36 dBm，瞬时功率处理能力达38 dBm。PE42520具有高隔离度、快速稳定时间，并采用3×3 mm QFN封装。 PE42520采用pSemi的UltraCMOS工艺制造，这是一种在蓝宝石衬底上的绝缘体上硅（SOI）技术的专利变体，兼具砷化镓（GaAs）的性能以及传统互补金属氧化物半导体（CMOS）的经济性和集成度。
商品特性
- 采用HaRP技术增强
- 快速稳定时间
- 无栅极和相位滞后
- 插入损耗和相位无漂移
- 在50Ω、8 GHz条件下具有高功率处理能力
- 连续波功率36 dBm
- 瞬时功率38 dBm
- 端接端口功率26 dBm
- 高线性度，三阶交调截点（IIP3）为66 dBm
- 低插入损耗
- 在3 GHz时为0.8 dB
- 在10 GHz时为0.9 dB
- 在13 GHz时为2.0 dB
- 高隔离度
- 在3 GHz时为45 dB
- 在10 GHz时为31 dB
- 在13 GHz时为18 dB
- 静电放电（ESD）性能
- 射频引脚到地的人体模型（HBM）为4 kV
- 所有引脚的人体模型（HBM）为2.5 kV
- 所有引脚的带电器件模型（CDM）为1 kV
应用领域
- 测试/自动测试设备（ATE）
- 高性能无线应用
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