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XCHS3N12
N沟道120V快速开关MOSFET
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- 描述
- VDS(V):120,ID(A):3.0,RDS(ON)(mΩ) Typ.:118,SOT23
- 品牌名称
- XCH(旭昌辉)
- 商品型号
- XCHS3N12
- 商品编号
- C48928121
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.039克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 120V | |
| 连续漏极电流(Id) | 3A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 118mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.5W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.8V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 5nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 210pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 2.7pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | - | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 36pF |
商品特性
- 分裂栅沟槽 MOSFET 技术
- 出色的散热封装
- 用于低漏源导通电阻的高密度单元设计
应用领域
- DC-DC 转换器
- 电源管理功能
- 同步整流应用
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