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SP2011ACNK
中低压N+P型MOSFET
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- 描述
- N+P MOSFET产品，耐压：20V，电流：N 35A/P -38A, Rdson：N 8mR/P 9mR
- 品牌名称
- Siliup(矽普)
- 商品型号
- SP2011ACNK
- 商品编号
- C48888439
- 商品封装
- PDFN5x6-8L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.1296克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道+1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 38A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 11.5mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 32.8W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 72.8nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.872nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 274pF | |
| 类型 | N沟道+P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 332pF |
商品特性
- 沟道型功率MOSFET
- 出色的导通电阻(RDS(on))和低栅极电荷
- 快速开关速度
应用领域
- 电机控制
- 直流-直流转换器
- 电源管理