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TPNVD5117PLT4G
P沟道，60 V（D-S）MOSFET
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- 描述
- 这款增强型MOSFET,具备卓越的低导通电阻和快速开关性能，广泛应用于充电设备、电源管理及高效率电子系统中，提供高效稳定的功率转换与控制功能。
- 品牌名称
- TECH PUBLIC(台舟)
- 商品型号
- TPNVD5117PLT4G
- 商品编号
- C48886837
- 商品封装
- TO-252-2L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.387克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 61A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 20mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 114W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 94nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 4.707nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 336pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 输出电容(Coss) | 373pF |
商品特性
- 在VGS = -10V(典型值)时,RDS(ON)为14mΩ
- 在VGS = -4.5V(典型值)时,RDS(ON)为16mΩ
- 超高密度单元设计,实现极低的RDS(ON)
- 出色的导通电阻和最大直流电流承载能力
应用领域
- 笔记本电脑电源管理
- DC/DC转换器
- 负载开关
- LCD显示器逆变器