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TPRU30L30M3

P沟道MOSFET

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描述
这款增强型MOSFET,具备卓越的低导通电阻和快速开关性能,广泛应用于充电设备、电源管理及高效率电子系统中,提供高效稳定的功率转换与控制功能。
商品型号
TPRU30L30M3
商品编号
C48886838
商品封装
PDFN3x3-8L​
包装方式
编带
商品毛重
0.09308克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
漏源电压(Vdss)30V
连续漏极电流(Id)20A
导通电阻(RDS(on))18mΩ@4.5V
耗散功率(Pd)35W
属性参数值
阈值电压(Vgs(th))2.5V@250uA
栅极电荷量(Qg)10nC@10V
输入电容(Ciss)2.13nF
反向传输电容(Crss)227pF
输出电容(Coss)302pF

数据手册PDF