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MGB100D06L
N沟道 耐压:60V 电流:29A
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- 描述
- 类型：1个N沟道 漏源电压60V 漏极电流29A 导通电阻10mΩ@10V,10A 耗散功率20.8W 阈值电压2V 栅极电荷15.8nC@10V 输入电容760pF@30V 反向传输电容26pF@30V 工作温度-55℃~+150℃
- 品牌名称
- Megain(美佳音)
- 商品型号
- MGB100D06L
- 商品编号
- C48678138
- 商品封装
- PDFN-8L(3x3)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.05925克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | - | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 29A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 15mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 20.8W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.3V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 15.8nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 3.2pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 272pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 760pF |
优惠活动
购买数量
(5000个/圆盘，最小起订量 5 个)个
起订量：5 个5000个/圆盘
总价金额：
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