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MGV012N10N
1个N沟道 耐压:100V 电流:411A
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- 描述
- 类型：1个N沟道 漏源电压100V 漏极电流411A 导通电阻1.2mΩ@10V,50A 耗散功率600W 阈值电压3.2V 栅极电荷157nC@10V 输入电容11074pF@50V 反向传输电容176pF@50V 工作温度-55℃~+150℃
- 品牌名称
- Megain(美佳音)
- 商品型号
- MGV012N10N
- 商品编号
- C48678139
- 商品封装
- TOLL
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.927667克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 411A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1.6mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 600W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 157nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 11.074nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 176pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 1.736nF |
商品特性
- 超低栅极电荷
- 出色的CdV/dt效应抑制能力
- 低热阻
- 低RDS(ON)以最小化传导损耗
- 先进的高单元密度沟槽技术
应用领域
- 移动主板/显卡核心电压
- 开关电源二次侧同步整流
- 负载点应用
- 无刷直流电机驱动器