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VS6410GS
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 63V | |
| 连续漏极电流(Id) | 15A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 11mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 3.1W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.3V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 25nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.72nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 40pF | |
| 输出电容(Coss) | 665pF |
商品特性
- 增强型VitoMOS II技术
- 快速开关且高效
- 100%雪崩测试
- 无铅
- 无卤
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