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VSP007N12HS-G
120V/57A N沟道先进功率MOSFET
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- 描述
- 120V/57A N沟道先进功率MOSFET
- 品牌名称
- Vergiga(威兆)
- 商品型号
- VSP007N12HS-G
- 商品编号
- C48642981
- 商品封装
- PDFN-8(5x6)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.264167克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 120V | |
| 连续漏极电流(Id) | 57A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 6.5mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 50W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3.4V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 66nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 4.08nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 20pF | |
| 输出电容(Coss) | 570pF |
商品特性
- 漏源电压（VDS） = -20V，漏极电流（ID） = -8A
- 栅源电压（VGS） = -4.5V 时，导通电阻（RDS(ON)） = 24.5 mΩ（典型值）
- 栅源电压（VGS） = -2.5V 时，导通电阻（RDS(ON)） = 31 mΩ（典型值）
应用领域
- 脉冲宽度调制（PWM）应用
- 负载开关
- 手机电池充电