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VSP004N10MSC-G
100V/120A N沟道先进功率MOSFET
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- 描述
- 100V/120A N沟道先进功率MOSFET
- 品牌名称
- Vergiga(威兆)
- 商品型号
- VSP004N10MSC-G
- 商品编号
- C48642978
- 商品封装
- PDFN-8(5x6)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.261833克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 120A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 9.4mΩ@4.5V | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.4V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 75nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 4.88nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 45pF | |
| 输出电容(Coss) | 1.84nF |
商品概述
这款N沟道中压MOSFET采用MDD半导体先进的功率沟槽工艺制造，该工艺集成了屏蔽栅技术。此工艺经过优化，可在保持卓越开关性能和一流软体二极管特性的同时，将导通电阻降至最低。
商品特性
- 在VGS = 10 V、ID = 35 A时，最大RDS(on) = 8 mΩ
- 极低的反向恢复电荷Qrr
- 经过100%单脉冲雪崩耐量测试
- 符合RoHS标准
应用领域
- 交/直流快速充电器的同步整流-电机驱动器和不间断电源-微型太阳能逆变器-电池管理系统