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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

SI2312M-6AF

N沟道增强型MOS场效应晶体管

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描述
N沟道,20V,6.8A,16mΩ@4.5V
商品型号
SI2312M-6AF
商品编号
C48587179
商品封装
SOT-23​
包装方式
编带
商品毛重
0.03053克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)20V
连续漏极电流(Id)6.8A
导通电阻(RDS(on))16mΩ@4.5V
耗散功率(Pd)1.25W
属性参数值
阈值电压(Vgs(th))1.2V
栅极电荷量(Qg)11nC@4.5V
输入电容(Ciss)888pF
工作温度-40℃~+85℃
配置-
类型N沟道

数据手册PDF