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SI2301M-6AF
P沟道增强型MOS场效应晶体管
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- 描述
- P沟道,-20V,-3A,58.6mΩ@-4.5V
- 品牌名称
- FOSAN(富捷/富信)
- 商品型号
- SI2301M-6AF
- 商品编号
- C48587212
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.03068克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 3A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 75mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 700mW | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 3.2nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 325pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 37pF | |
| 工作温度 | -40℃~+85℃ | |
| 配置 | - | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 63pF |
优惠活动
购买数量
(3000个/圆盘，最小起订量 50 个)个
起订量：50 个3000个/圆盘
总价金额：
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