温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
RY3415t3
P沟道MOSFET
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
- 描述
- 具有先进的沟道技术，具有出色的RDS(ON)性能和低栅极电荷。可用于各种应用。
- 品牌名称
- RYCHiP(蕊源)
- 商品型号
- RY3415t3
- 商品编号
- C48580212
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.042667克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 5.5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 60mΩ@2.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.6W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.2V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 10nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 310pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 28pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 81pF |
商品概述
RY3415t3采用先进的通道技术,具备出色的RDS(ON)性能和低栅极电荷,可用于多种应用场景。
商品特性
- VDS = -20V,ID = -5.5A
- 当VGS = -5V时,RDS(ON) < 36 mΩ
- 当VGS = -4.5V时,RDS(ON) < 39 mΩ
- 当VGS = -2.5V时,RDS(ON) < 60 mΩ
- ESD等级:≥2000V HBM
- 高功率和电流处理能力
- 符合无铅产品要求
- SOT23封装
应用领域
-PWM应用-电源管理-负载开关