BSS138W
N沟道逻辑电平增强型场效应晶体管
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- 描述
- 类型 1个N沟道;漏源电压(Vdss) 50V;连续漏极电流(Id) 200mA;导通电阻(RDS(on)) 3.5Ω@10V,0.22A;耗散功率(Pd) 200mW;阈值电压(Vgs(th)) 1.5V;输入电容(Ciss@Vds) 50pF@10V;反向传输电容(Crss) 8pF@10V;工作温度 -55℃~+150℃
- 品牌名称
- LGE(鲁光)
- 商品型号
- BSS138W
- 商品编号
- C48578689
- 商品封装
- SOT-323
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.029833克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 50V | |
| 连续漏极电流(Id) | 200mA | |
| 耗散功率(Pd) | 200mW |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 50pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 8pF | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 25pF |
商品特性
- 低导通电阻
- 低栅极阈值电压
- 低输入电容
- 快速开关速度
- 低输入/输出漏电流
应用领域
- 适配器
- 充电器
- 电源管理
- 开关电源待机电源
