- 引脚图
- 焊盘图
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SVSP14N65FJHE2
SVSP14N65FJHE2
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- 品牌名称
- SILAN(士兰微)
- 商品型号
- SVSP14N65FJHE2
- 商品编号
- C48392968
- 商品封装
- TO-220FJH-3L
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 连续漏极电流(Id) | 14A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 260mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 39W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 19nC | |
| 输入电容(Ciss) | 768pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 1.6pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 46pF | |
| 栅极电压(Vgs) | ±30V |
商品概述
N沟道增强型高压功率MOSFET采用超结MOS技术平台制造,具有很低的传导损耗和开关损耗。使得功率转换器具有高效,高功率密度,提高热行为。此外,应用广泛。如,适用于硬/软开关拓扑。
商品特性
- 14A, 650V, RDS(on)(典型值)=0.26Ω@VGS=10V
- 创新高压技术
- 低栅极电荷
- 定期额定雪崩
- 较强dv/dt能力
- 高电流峰值