- 引脚图
- 焊盘图
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SVFP7N70MJ
SVFP7N70MJ
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- 品牌名称
- SILAN(士兰微)
- 商品型号
- SVFP7N70MJ
- 商品编号
- C48392969
- 商品封装
- TO-251J-3L
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 700V | |
| 连续漏极电流(Id) | 7A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1.2Ω@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 236W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 24nC | |
| 输入电容(Ciss) | 931pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 9.1pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 100pF | |
| 栅极电压(Vgs) | ±30V |
商品概述
N沟道增强型高压功率MOS场效应晶体管采用F-CellTM平面高压VDMOS工艺技术制造。先进的工艺及元胞设计结构使得该产品具有较低的导通电阻、优越的开关性能及很高的雪崩击穿耐量。 该产品可广泛应用于AC-DC开关电源,DC-DC电源转换器,高压H桥PWM马达驱动。
商品特性
- 7A, 700V, RDS(on)(典型值)=1.2Ω@VGS=10V
- 低栅极电荷量
- 低反向传输电容
- 开关速度快
- 提升了dv/dt能力
应用领域
- AC-DC开关电源
- DC-DC电源转换器
- 高压H桥PWM马达驱动