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SL3139KL
P沟道增强型MOSFET
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- 描述
- 特性：先进的沟槽工艺技术。 低阈值电压。 快速开关速度。 无卤无铅。 ESD保护栅极，HBM 2.5KV。应用：便携式设备的负载开关。 电压控制小信号开关
- 品牌名称
- Slkor(萨科微)
- 商品型号
- SL3139KL
- 商品编号
- C48392752
- 商品封装
- DFN1006-3L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.00968克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 980mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 370mΩ@4.5V；500mΩ@2.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 710mW | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.1V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 1.24nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 113pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 9pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 15pF |
商品特性
- 低栅极电荷Qg，驱动要求简单
- 改善了栅极、雪崩和动态dV/dt鲁棒性
- 全面表征了电容、雪崩电压和电流
- 符合RoHS指令2002/95/EC
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