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BSS84,215
1个P沟道 耐压:50V 电流:130mA
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- 描述
- P- 通道增强模式垂直扩散金属氧化物半导体（DMOS）晶体管，采用小型表面贴装器件（SMD）塑料封装。
- 品牌名称
- Nexperia(安世)
- 商品型号
- BSS84,215
- 商品编号
- C493579
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.025克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 50V | |
| 连续漏极电流(Id) | 130mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 10Ω@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 250mW | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | - | |
| 输入电容(Ciss) | 45pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 3.5pF | |
| 工作温度 | -65℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 15pF |
商品概述
采用小型表面贴装器件（SMD）塑料封装的P沟道增强型垂直扩散金属氧化物半导体（DMOS）晶体管。
商品特性
- 低阈值电压
- 可与CMOS和晶体管 - 晶体管逻辑(TTL)直接接口
- 高速开关
- 无二次击穿
应用领域
-电话机中的线路电流断路器-继电器、高速和线路变压器驱动器