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LPB1010HQVF
单节锂电池保护集成电路，集成MOSFET
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- 描述
- 该产品是用于锂电池保护的集成FET的IC。该设备包含一个60mΩ的N沟道MOSFET，将系统接地与电池阴极相连。该设备支持锂离子/聚合物电池的所有保护，包括过充电电压和过放电电压保护、过放电电流和过放电电流保护、负载短路保护、过温保护等。该产品具有非常低的电流以节省系统功耗。由于高精度的过充电电压保护，该产品可以确保安全和充分利用的充电过程。这些部件采用节省空间的4引脚DFN封装，尺寸仅为1mm x 1mm。
- 品牌名称
- LOWPOWER(微源半导体)
- 商品型号
- LPB1010HQVF
- 商品编号
- C47345803
- 商品封装
- DFN-4-EP(1x1)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.013225克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 电池管理 | |
| 芯片类型 | 保护芯片 | |
| 工作电压 | 0V~4.2V | |
| 最大充电电流 | 400mA | |
| 充电饱和电压 | - | |
| 放电截止电压 | 2.8V | |
| 电池类型 | 锂电池 | |
| 电池节数 | 1 |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 工作温度 | -40℃~+85℃ | |
| 电池温度检测 | 不支持 | |
| 0V电池充电 | 支持 | |
| 静态电流(Iq) | 500nA | |
| 均衡电流 | - | |
| 接口类型 | - | |
| 功能特性 | 过流保护；过充保护；过放保护；短路保护 |
商品概述
LPB1010H 系列是一款集成了金属氧化物半导体场效应晶体管的集成电路，专为锂离子/聚合物电池保护而设计。该器件包含一个60mΩ的N沟道金属氧化物半导体场效应晶体管，用于连接系统地与电池负极。它支持针对锂离子/聚合物电池的所有保护功能，包括过充电压与过放电压保护、过放电流与过放电流保护、负载短路保护、过温保护等。LPB1010H 具有极低的工作电流，有助于节省系统功耗。凭借高精度的过充电压保护功能，该器件能够确保充电过程安全且电池容量得到充分利用。该系列产品采用节省空间的4引脚DFN封装，尺寸仅为1mm × 1mm。
商品特性
- 集成低导通电阻N沟道金属氧化物半导体场效应晶体管：60mΩ
- 超低工作电流消耗：0.5μA
- 超低关断电流：<10nA
- 高精度电压保护（±25mV）
- 低过流保护
- 放电过流保护：150mA
- 充电过流保护：300mA
- 放电短路保护：450mA
- 反接电池保护
- 热关断保护
- 支持通用输入/输出控制的运输模式
- 支持0V电池充电
- 静电放电保护：人体模型2kV，带电器件模型0.5kV
- 采用尺寸为1mm × 1mm的DFN-4封装
应用领域
- 蓝牙耳机
- 单节锂离子电池包
- 锂聚合物电池包
- 可穿戴设备