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CMD65R650D
N场 650V 7A 停产
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- 描述
- COOLMOS，TO-252，N场，耐压：650V,电流：7A，10V内阻：0.64Ω，功率：75W，CISS（Typ）：300PF
- 品牌名称
- Cmos(广东场效应半导体)
- 商品型号
- CMD65R650D
- 商品编号
- C47345524
- 商品封装
- TO-252
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.376克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 连续漏极电流(Id) | 7A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 640mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 75W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 22nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 300pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 3pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 |
商品概述
65R650D是一款采用Cmos先进超结技术的功率MOSFET，可实现极低的导通电阻、栅极电荷和较低的振铃倾向。因此，其开关损耗极低，非常适合开关应用。此外，这些用户友好型器件通过集成齐纳二极管，具备更高的耐用性和出色的ESD能力，是设计师的理想之选。
商品特性
- 多层外延芯片技术
- 低导通电阻
- 100%雪崩测试
- 符合RoHS标准
应用领域
- 适配器
- PFC电源级
- DC-DC转换器