温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
AO3415B
P沟道增强型MOSFET
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
私有库下单最高享92折
- 描述
- 类型：P沟道 漏源电压(Vdss)：20V 连续漏极电流(Id)：4A 功率(Pd)：350mW 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：60mΩ@10V,4.1A
- 品牌名称
- TWGMC(迪嘉)
- 商品型号
- AO3415B
- 商品编号
- C47283669
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.0275克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 5.5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 36mΩ@5V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.6W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.2V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 10nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 310pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 28pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 输出电容(Coss) | 81pF |
商品概述
023N06采用先进的SGT技术，可提供出色的RDS(ON)。该器件适用于高频开关和同步整流。
商品特性
- VDS = -20V,ID = -5.5A
- 当VGS = -5V时,RDS(ON) < 36 mΩ
- 当VGS = -4.5V时,RDS(ON) < 39 mΩ
- 当VGS = -2.5V时,RDS(ON) < 60 mΩ
- 静电放电等级:≥ 2000V 人体模型(HBM)
- 高功率和电流处理能力
- 提供无铅产品
- SOT23封装
- 符合RoHS标准
应用领域
- 脉宽调制(PWM)应用
- 电源管理
- 负载开关