商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | FET输入运放 | |
| 放大器数 | 双路 | |
| 增益带宽积(GBP) | 1MHz | |
| 输入偏置电流(Ib) | 35pA | |
| 输入失调电压(Vos) | 250uV | |
| 共模抑制比(CMRR) | 100dB |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 压摆率(SR) | 50V/us | |
| 静态电流(Iq) | 2.8mA | |
| 轨到轨 | - | |
| 输入失调电压温漂(Vos TC) | 2.5uV/℃ | |
| 输出电流 | - | |
| 工作温度 | - |
商品概述
AD647是一款超低漂移双JFET放大器，在单个封装中集高性能与便捷性于一体。 AD647采用最先进的离子注入和激光晶圆漂移微调技术，以实现目前双JFET所能达到的最高性能。离子注入技术允许在单片双极芯片上制造匹配的JFET。激光晶圆漂移微调可对初始失调电压及其随温度的漂移进行微调，从而实现低至100 μV（最大250 μV）的失调电压和最大2.5 μV/℃的漂移。 除了出色的单放大器性能外，AD647还在失调电压、失调电压漂移和偏置电流等关键参数上提供有保证且经过测试的匹配性能。 这种高水平的性能使AD647特别适合高精度仪表放大器应用，而此前这类应用需要进行高成本的筛选和匹配，且会浪费空间的单放大器。
商品特性
- AD647经过严格的匹配规格保证和测试，以确保高性能，并消除单器件的筛选和匹配需求。
- 激光晶圆漂移微调将失调电压和失调电压漂移分别降低至最大250 μV和2.5 μV/℃。
- K、L和S级产品保证在[0.1 Hz至10 Hz]范围内的电压噪声最大为4 μV p-p。
- 偏置电流（K、L、S级为35 pA；J级为75 pA）是在工作五分钟后规定的。
- 总电源电流最大仅为2.8 mA。
- 高开环增益确保在精密仪表放大器应用中具有高线性度。
- 标准双放大器引脚排列允许用AD647直接替代性能较低的器件。
- AD647提供芯片形式。
应用领域
- 高精度仪表放大器应用
- 关键仪表应用
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