AD647SH/883B
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | FET输入运放 | |
| 放大器数 | 双路 | |
| 增益带宽积(GBP) | 1MHz | |
| 输入偏置电流(Ib) | 35pA | |
| 输入失调电压(Vos) | 250uV | |
| 共模抑制比(CMRR) | 80dB |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 压摆率(SR) | 3V/us | |
| 静态电流(Iq) | 2.8mA | |
| 轨到轨 | - | |
| 输入失调电压温漂(Vos TC) | 2.5uV/℃ | |
| 输出电流 | - | |
| 工作温度 | - |
商品概述
AD647是一款超低漂移双JFET放大器，在单个封装中集高性能与便捷性于一体。 AD647采用最先进的离子注入和激光晶圆漂移微调技术，以实现目前双JFET所能达到的最高性能。离子注入技术可在单片双极芯片上制造匹配的JFET。激光晶圆漂移微调技术可对初始失调电压及其随温度的漂移进行微调，使失调电压低至100μV（最大250μV），漂移最大为2.5μV/℃。 除了出色的单放大器性能外，AD647还能保证并经过测试，在失调电压、失调电压漂移和偏置电流等关键参数上具有匹配性能。 这种高性能水平使AD647特别适用于高精度仪表放大器应用，而此前这类应用需要昂贵的筛选和匹配占用空间的单放大器。 AD647提供四种性能等级，三种商用级（J、K和L）和一种扩展级（S）。所有产品均采用密封8引脚TO - 99封装，并且可按MIL - STD - 883B标准进行处理。LCC版本也可按MIL - STD - 883B标准进行处理。
商品特性
- 低失调电压漂移
- 匹配的失调电压
- 全温度范围内匹配的失调电压
- 匹配的偏置电流
- 串扰：1kHz时为 - 124dB
- 低偏置电流：预热后最大35pA
- 低失调电压：最大250μV
- 低输入电压：zμV峰 - 峰值
- 高开环增益：108dB
- 低静态电流：最大2.8mA
- 低总谐波失真
- 标准双放大器引脚排列
- 提供密封金属罐封装、密封表面贴装（20引脚LCC）和芯片形式
- 也可按MIL - STD - 883B标准进行处理
- 有单放大器版本：AD547