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MC33284DR2实物图
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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

MC33284DR2

MC33284DR2

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品牌名称
onsemi(安森美)
商品型号
MC33284DR2
商品编号
C4370282
商品封装
SOIC-14​
包装方式
编带
商品毛重
0.25克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录FET输入运放
放大器数-
增益带宽积(GBP)35MHz
输入偏置电流(Ib)30pA
输入失调电压(Vos)200uV
共模抑制比(CMRR)90dB
属性参数值
压摆率(SR)15V/us
静态电流(Iq)2.15mA
轨到轨-
输入失调电压温漂(Vos TC)15uV/℃
输出电流-
工作温度-

商品概述

MC33282/284系列高性能运算放大器采用创新的双极和JFET设计理念制造。该双运放和四运放系列采用JFET输入,并结合专利的ZIP R TRIMTM元件以降低输入失调电压。这些器件具有低输入失调电压、低输入偏置电流、高增益带宽和高转换速率的特点。采用双二重频率补偿,以实现高质量的相位/增益性能。此外,MC33282/284系列的JFET输入放大器具有低输入噪声特性。其全NPN输出级无死区交越失真,且输出电压摆幅大。它们还提供低开环高频输出阻抗,具有对称的源极和漏极交流频率性能。MC33282/284系列的工作温度范围为-40℃至+85℃,提供塑料DIP和SOIC表面贴装封装。

商品特性

  • 低输入失调电压:修整至200 μV
  • 低输入偏置电流:30 pA
  • 低输入失调电流:6.0 pA
  • 高输入电阻:10^12 Ω
  • 低噪声:180 nV/√Hz(1.0 kHz时)
  • 高增益带宽积:35 MHz(100 kHz时)
  • 高转换速率:15 V/μs
  • 功率带宽:175 kHz
  • 单位增益稳定:带300 pF电容负载
  • 大输出电压摆幅:+14.1 V / -14.6 V
  • 低总谐波失真:0.003%
  • 电源漏电流:每个放大器2.15 mA
  • 双电源工作:±2.5 V至±18 V(最大值)

数据手册PDF