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IMDQ75R025M2HXTMA1
基于第二代碳化硅沟槽技术的SiC MOSFET，具备高性能、高可靠性和易用性，适用于固态继电器、电动汽车充电等领域
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- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- IMDQ75R025M2HXTMA1
- 商品编号
- C47150944
- 商品封装
- HDSOP-22
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 碳化硅场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 类型 | N沟道 | |
| 配置 | 半桥 | |
| 漏源电压(Vdss) | 750V | |
| 连续漏极电流(Id) | 70A | |
| 耗散功率(Pd) | 272W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 5.6V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 49nC | |
| 输入电容(Ciss) | 1.729nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 9pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 输出电容(Coss) | 153pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 31mΩ |
商品概述
基于英飞凌强大的第二代碳化硅沟槽技术，750V CoolSiC MOSFET 提供了无与伦比的性能、卓越的可靠性和极高的易用性。它能够实现具有成本效益、高效且简化的设计，以满足不断增长的系统和市场需求。
商品特性
- 高度可靠的750V技术，经过100%雪崩测试
- 同类最佳的通态电阻×反向恢复电荷
- 出色的通态电阻×输出电容和通态电阻×栅极电荷
- 独特的低反向传输电容/输入电容和高栅源阈值电压组合
- 英飞凌专有芯片贴装技术
- 采用材料组I的先进TSC封装
- 设有驱动源极引脚
- 贴片器件中同类最佳的通态电阻
应用领域
- 固态继电器和断路器
- 电动汽车充电基础设施
- 太阳能光伏逆变器和不间断电源
- 储能和电池化成
- 电信和服务器开关电源