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IPDQ65R008CM8XTMA1
IPDQ65R008CM8XTMA1
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- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- IPDQ65R008CM8XTMA1
- 商品编号
- C47150979
- 商品封装
- PG-HDSOP-22
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 连续漏极电流(Id) | - | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 7mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.249kW | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4.2V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 375nC |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 18.004nF | |
| 反向传输电容(Crss) | - | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | - | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 193pF | |
| 栅极电压(Vgs) | ±20V |
商品概述
CoolMOSTM 第八代平台是高压功率MOSFET的一项革命性技术,依据超结(SJ)原理设计。650V CoolMOSTM CM8系列是650V CoolMOSTM 7系列的后续产品,提升了英飞凌的宽禁带(WBG)产品阵容。它将快速开关超结MOSFET的优势与出色的易用性相结合,例如低振铃倾向,为所有产品配备了快速体二极管(CFD),对硬换相具有出色的鲁棒性和优秀的静电放电(ESD)能力。此外,CM8极低的开关和传导损耗使开关应用更加高效。
商品特性
- 同类最佳的650V超结MOSFET性能
- 凭借出色的换相鲁棒性,适用于硬开关和软开关拓扑
- 集成快速体二极管和ESD保护
- .XT互连技术实现同类最佳的热性能
应用领域
- 电源和转换器
- 功率因数校正(PFC)级和LLC谐振转换器
- 高效开关应用
- 例如数据中心、人工智能服务器、电信电源