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AON7418-VB
1个N沟道 耐压:30V 电流:80A
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描述
台积电流片，长电科技封装；是一款单N型MOSFET，采用Trench技术，适用于需要高性能开关的电路和模块。DFN8(3x3)；N—Channel沟道,30V；70A；RDS(ON)=1.8mΩ@VGS=10V,VGS=20/-16V；Vth=1.1~2.2V；
- 品牌名称VBsemi(微碧半导体)
商品型号
AON7418-VB商品编号
C4355106商品封装
DFN-8(3x3)包装方式
编带
商品毛重
0.13克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 类型 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 连续漏极电流(Id) | 80A | |
| 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 2mΩ@4.5V,80A |
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