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BSS123
N沟道,电流:200mA,耐压:100V
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- 品牌名称
- JH(晶恒)
- 商品型号
- BSS123
- 商品编号
- C4354863
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.03克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 200mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 3Ω@10V,200mA | |
| 耗散功率(Pd) | 350mW |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | - | |
| 输入电容(Ciss@Vds) | 14pF@50V | |
| 反向传输电容(Crss) | 5pF@50V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
WSD30L120ADN56是一款高性能沟槽P沟道MOSFET，具有极高的单元密度，可为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻（RDSON）和栅极电荷。 WSD30L120ADN56符合RoHS标准和绿色产品要求，100%保证耐雪崩能力（EAS），并通过了全功能可靠性认证。
商品特性
- 漏源导通电阻（RDS(ON)）： < 5.0 Ω（VGS = 10 V 时） < 5.5 Ω（VGS = 4.5 V 时）
- 沟槽型（TrenchFET）功率 MOSFET
- 符合 RoHS 标准
应用领域
- 用于主板（MB）、笔记本电脑（NB）、超移动个人计算机（UMPC）、显卡（VGA）的高频负载点同步降压转换器
- 网络直流-直流电源系统
- 负载开关