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SI2308-MS

N沟道MOSFET

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描述
此款N沟道MOS管,额定电压为 60V,额定电流为 3A,RDS:为75mΩ@VGS=10V,它低导通电阻,高开关速度可以实现快速的开关动作,确保了开关电源和高频电路中的卓越性能,被广泛用于:电源管理模块,开关模式电源,电机驱动控制,LED 照明控制,便携式设备
品牌名称
MSKSEMI(美森科)
商品型号
SI2308-MS
商品编号
C47021006
商品封装
SOT-23​
包装方式
编带
商品毛重
0.0387克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
漏源电压(Vdss)60V
连续漏极电流(Id)3A
导通电阻(RDS(on))75mΩ@10V
耗散功率(Pd)1.25W
阈值电压(Vgs(th))1.6V@250uA
属性参数值
栅极电荷量(Qg)9.3nC@10V
输入电容(Ciss)500pF
反向传输电容(Crss)16pF
工作温度-50℃~+125℃
类型N沟道
输出电容(Coss)45pF

数据手册PDF

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