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SI2308-MS
N沟道MOSFET
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- 描述
- 此款N沟道MOS管，额定电压为 60V，额定电流为 3A,RDS:为75mΩ@VGS=10V,它低导通电阻，高开关速度可以实现快速的开关动作，确保了开关电源和高频电路中的卓越性能，被广泛用于：电源管理模块，开关模式电源，电机驱动控制，LED 照明控制，便携式设备
- 品牌名称
- MSKSEMI(美森科)
- 商品型号
- SI2308-MS
- 商品编号
- C47021006
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.0387克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 3A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 75mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.25W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.6V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 9.3nC@10V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 500pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 16pF | |
| 工作温度 | -50℃~+125℃ | |
| 配置 | - | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 45pF | |
| 栅极电压(Vgs) | ±20V |