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MS2308A
N沟道MOSFET
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- 描述
- 此款N沟道MOS管，额定电压为 60V，额定电流为 3A,RDS:为75mΩ@VGS=10V,它低导通电阻，高开关速度可以实现快速的开关动作，确保了开关电源和高频电路中的卓越性能，被广泛用于：电源管理模块，开关模式电源，电机驱动控制，LED 照明控制，便携式设备
- 品牌名称
- MSKSEMI(美森科)
- 商品型号
- MS2308A
- 商品编号
- C47021007
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.038767克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 3A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 75mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.25W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.6V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 9.3nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 500pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 16pF | |
| 工作温度 | -50℃~+125℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 45pF |
商品概述
这些N沟道增强型功率场效应晶体管采用沟槽DMOS技术。这种先进技术经过专门设计,可将导通电阻降至最低,提供卓越的开关性能,并能承受雪崩和换向模式下的高能脉冲。这些器件非常适合高效快速开关应用。
商品特性
- 60V、3A,VGS = 10V时,RDS(ON) = 75mΩ
- 改善了dv/dt能力
- 快速开关
- 有环保器件可供选择
应用领域
-电机驱动-电动工具-LED照明