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LSGE10R035
1个N沟道 耐压:100V 电流:180A
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- 品牌名称
- LONTEN(龙腾半导体)
- 商品型号
- LSGE10R035
- 商品编号
- C483751
- 商品封装
- TO-263-2
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1.601克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 180A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 3.5mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 181W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 123nC@10V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 9.43nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 48pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | - | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 882pF | |
| 栅极电压(Vgs) | ±20V |
商品概述
这些N沟道增强型功率场效应晶体管采用了分裂栅沟槽DMOST技术。这项先进技术经过专门设计,可将导通电阻降至最低,提供卓越的开关性能,并能承受雪崩和换向模式下的高能脉冲。这些器件非常适合高效快速开关应用。
商品特性
- 100V、180A,RDS(on),max = 3.5 m Ω(VGS = 10 V时)
- 改善了dv/dt能力
- 快速开关
- 100%保证EAS
- 有环保型器件可供选择
应用领域
- 电机驱动器
- 不间断电源(UPS)
- DC-DC转换器