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LND10R040W3
1个N沟道 耐压:100V 电流:120A
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- 品牌名称
- LONTEN(龙腾半导体)
- 商品型号
- LND10R040W3
- 商品编号
- C483754
- 商品封装
- TO-220MF
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.958克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 类型 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 120A |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 导通电阻(RDS(on)) | 4mΩ@10V,50A | |
| 耗散功率(Pd) | 49W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V@250uA |
商品概述
这些N沟道增强型功率场效应晶体管采用了分裂栅沟槽DMOST技术。这种先进技术经过特别设计，可将导通电阻降至最低，提供卓越的开关性能，并能承受雪崩和换向模式下的高能脉冲。这些器件非常适合高效快速开关应用。
商品特性
- 100V、120A，RDS(ON)最大值 = 4.0mΩ（@VGS = 10V）
- 改善了dv/dt能力
- 快速开关
- 100%保证EAS
- 有环保型器件可供选择
应用领域
- 电机驱动-不间断电源(UPS)-DC-DC转换器