MB85RC16PNF-G-AMERE2
16K (2Kx8) FeRAM I2C接口
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- 描述
- 是采用形成非易失性存储单元的强电介质工艺和硅栅CMOS工艺的2048字节×8位结构的FeRAM（铁电随机存取存储器）。采用的存储单元在写入/读出操作中每个字节至少具有10¹²次的耐久性，远超其他非易失性存储产品。
- 商品型号
- MB85RC16PNF-G-AMERE2
- 商品编号
- C46681954
- 商品封装
- SOP-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.20443克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 铁电存储器(FRAM) | |
| 接口类型 | I2C | |
| 存储容量 | 16Kbit | |
| 工作电压 | 2.7V~3.6V | |
| 工作电流 | 100uA | |
| 时钟频率(fc) | 1MHz |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 待机电流 | 1uA | |
| 睡眠模式电流(Izz) | - | |
| 工作温度 | -40℃~+85℃ | |
| 擦写寿命 | 1000000000000次 | |
| 数据保留 - TDR(年) | 200年 | |
| 功能特性 | - |
商品概述
MB85RC16是采用铁电工艺和硅栅CMOS工艺的2,048字×8位FeRAM（铁电随机存取存储器）。像SRAM一样无需备用电池即可进行数据保持。不需要像闪存或E²PROM那样长的写入时间，可实现字节单位写入，且无需等待写入完成。支持I²C总线，作为从设备工作。I²C使用SCL和SDA两线通信，数据以8位为单位发送/接收，每8位后接收侧输出ACKL。开始条件为SCL为H期间SDA从H变为L；停止条件为SCL为H期间SDA从L变为H。内存地址由11位构成。设备地址由4位设备代码、3位内存高位地址代码、1位读/写代码构成，设备代码高4位固定为“1010”。支持字节写入、页写入、当前地址读、随机读、顺序读等命令。FeRAM写入时间高速，不需要通过应答轮询等待ACK。写保护端子可以禁止写入。软件复位和命令重试可用于异常恢复。
商品特性
- 存储结构：2,048字×8位
- 2线串行接口：仅通过串行时钟和串行数据两个端口即可实现所有控制
- 写入/读取耐久性：10¹²次/字节
- 数据保持特性：10年（+85℃），95年（+55℃），200年以上（+35℃）
- 工作电源电压：2.7V ~ 3.6V
- 低功耗：工作电源电流70μA（典型值@1MHz），待机电流0.1μA（典型值）
- 工作温度范围：-40℃ ~ +85℃