- 引脚图
- 焊盘图
温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
W66DP2RQQAGJ
LPDDR4/LPDDR4X组合同步动态随机存取存储器
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- 品牌名称
- Winbond(华邦)
- 商品型号
- W66DP2RQQAGJ
- 商品编号
- C46681826
- 商品封装
- TFBGA-200(10x14.5)
- 包装方式
- 托盘
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | DDR SDRAM | |
| 存储器构架(格式) | LPDDR4X SDRAM | |
| 时钟频率(fc) | 1.866GHz | |
| 存储容量 | 8Gbit | |
| 工作电压 | 1.7V~1.95V；1.06V~1.17V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 工作电流 | 140mA | |
| 刷新电流 | 1mA | |
| 工作温度 | -40℃~+105℃ | |
| 功能特性 | 写入均衡功能；自动自刷新；内置温度传感器；自动预充电功能；ZQ校准功能；异步复位功能；动态片上端接；数据掩码功能 |
商品概述
这是一款LPDDR4/LPDDR4X同步动态随机存取存储器（SDRAM）器件，支持双芯片封装（DDP）配置。该器件采用高速接口设计，具备低功耗特性，适用于需要高带宽和低功耗的应用场景。它包含多个模式寄存器（MR）用于配置各种操作参数，如时序、电压参考（VREF）训练、读写均衡等。器件支持多种命令操作，包括激活、读写、预充电、刷新（包括自刷新和局部阵列自刷新）以及模式寄存器读写（MRR/MRW）。此外，它还提供命令总线训练、读写数据校准（DQ Calibration）和数据选通信号训练（DQS-DQ Training）功能，以确保信号完整性。器件工作温度范围宽，并提供不同的封装选项。
商品特性
- 支持LPDDR4和LPDDR4X标准
- 提供单芯片封装（SDP）和双芯片封装（DDP）选项
- 封装形式包括100球VFBGA和200球TFBGA
- 包含简化的状态图和详细的功能描述
- 支持多种模式寄存器（MR0至MR51）进行配置
- 具备激活、读写、预充电、刷新等完整命令集
- 支持自动预充电操作
- 包含自刷新（Self Refresh）和局部阵列自刷新（PASR）功能
- 提供电压参考训练（CA VREF、DQ VREF）
- 支持命令总线训练（Command Bus Training）
- 具备写均衡（Write Leveling）模式
- 支持读数据校准（RD DQ Calibration）
- 提供数据选通信号训练（DQS-DQ Training）
- 包含先导码和后导码合并行为
- 支持掩码写操作（Masked Write）
- 具备数据总线反转（DBIdc）功能
- 工作温度范围支持-40℃ ~ +105℃