MB85RC16PNF-G-AMERE2
16K (2Kx8) FeRAM I2C接口
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- 描述
- 是采用形成非易失性存储单元的强电介质工艺和硅栅CMOS工艺的2048字节×8位结构的FeRAM（铁电随机存取存储器）。采用的存储单元在写入/读出操作中每个字节至少具有10¹²次的耐久性，远超其他非易失性存储产品。
- 商品型号
- MB85RC16PNF-G-AMERE2
- 商品编号
- C46681954
- 商品封装
- SOP-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.20443克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 铁电存储器(FRAM) | |
| 接口类型 | I2C | |
| 存储容量 | 16Kbit | |
| 工作电压 | 2.7V~3.6V | |
| 工作电流 | 100uA | |
| 时钟频率(fc) | 1MHz |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 待机电流 | 1uA | |
| 睡眠模式电流(Izz) | - | |
| 工作温度 | -40℃~+85℃ | |
| 擦写寿命 | 1000000000000次 | |
| 数据保留 - TDR(年) | 200年 | |
| 功能特性 | - |
商品概述
MB85RC16是一款采用铁电体工艺和硅栅CMOS工艺形成的非易失性存储器，构成2,048字×8位的铁电随机存取存储器。该器件像SRAM一样，无需备用电池即可实现数据保持。它无需像闪存或EEPROM那样长的写入时间，可实现以字节为单位的写入操作，并且无需等待写入完成状态。
商品特性
- 位构成：2,048字×8位
- 2线串行接口：仅通过串行时钟和串行数据两个端口即可实现所有控制
- 工作频率：1 MHz（最大值）
- 写入/读取耐久性：10¹²次/字节
- 数据保持特性：10年（+85℃），95年（+55℃），200年以上（+35℃）
- 工作电源电压：2.7V ~ 3.6V
- 低功耗：工作电源电流70μA（典型值@1MHz），待机电流0.1μA（典型值）
- 工作温度范围：-40℃ ~ +85℃
- 封装：SOP-8，SON-8