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CS20N65A2
N沟道增强型功率MOSFET
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- 品牌名称
- SEP(威旺)
- 商品型号
- CS20N65A2
- 商品编号
- C46614254
- 商品封装
- TO-220F
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.604克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 连续漏极电流(Id) | 20A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 460mΩ@10V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 45W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 57.4nC@10V | |
| 类型 | N沟道 |
商品概述
AGM3P06EL将先进的沟槽MOSFET技术与低电阻封装相结合，以提供极低的RDS(ON)。 该器件非常适合用于负载开关和电池保护应用。
商品特性
~~- 先进的高单元密度沟槽技术-低RDS(ON),以最大限度地降低传导损耗-低栅极电荷,实现快速开关-低热阻
应用领域
- MB/VGA Vcore-开关电源二次同步整流器-负载点应用-无刷直流电机驱动器