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CS5N65A5
N沟道增强型功率MOSFET
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- 描述
- 特性：快速开关。 低导通电阻。 低栅极电荷。 100%单脉冲雪崩能量测试。应用：适配器和充电器的电源开关电路
- 品牌名称
- SEP(威旺)
- 商品型号
- CS5N65A5
- 商品编号
- C46614257
- 商品封装
- TO-252
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.4666克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 连续漏极电流(Id) | 5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 2Ω@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 85W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 15nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 623pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 8.5pF | |
| 输出电容(Coss) | 55pF |
商品概述
这款N沟道MOSFET采用先进的SGT技术和设计，在低栅极电荷的情况下提供出色的导通电阻RDS(on)，可广泛应用于各种领域。
商品特性
- 快速开关
- 低导通电阻
- 低栅极电荷
- 100%单脉冲雪崩能量测试
应用领域
-适配器和充电器的电源开关电路。