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CS20N65A2
N沟道增强型功率MOSFET
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- 品牌名称
- SEP(威旺)
- 商品型号
- CS20N65A2
- 商品编号
- C46614254
- 商品封装
- TO-220F
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.604克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 连续漏极电流(Id) | 20A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 460mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 45W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 57.4nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.896nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 15.6pF | |
| 配置 | 独立式 | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 270pF | |
| 栅极电压(Vgs) | ±30V |
商品概述
AGM3P06EL将先进的沟槽MOSFET技术与低电阻封装相结合，以提供极低的RDS(ON)。 该器件非常适合用于负载开关和电池保护应用。
商品特性
- 快速开关
- 低导通电阻
- 低栅极电荷
- 100%单脉冲雪崩能量测试
应用领域
- 适配器和充电器的电源开关电路。