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ISO6520FQDRQ1
ISO6520FQDRQ1
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- 品牌名称
- TI(德州仪器)
- 商品型号
- ISO6520FQDRQ1
- 商品编号
- C46576268
- 商品封装
- SOIC-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.2936克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 数字隔离器 | |
| 正向通道数 | 2 |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 反向通道数 | 0 | |
| 通道数 | 2 |
商品概述
ISO652x-Q1器件是高性能双通道功能隔离器，专为对成本敏感、空间受限且需要非安全应用隔离的场景设计。隔离屏障支持450 V RMS的工作电压和1000 V DC的瞬态过电压。ISO652x-Q1器件在隔离CMOS或LVCMOS数字I/O的同时，可提供高抗电磁干扰性和低辐射，并且功耗低。每个隔离通道都有一个逻辑输入和输出缓冲器，由TI的双电容二氧化硅SiO2绝缘屏障隔开。ISO6520-Q1具有两个隔离通道，两个通道方向相同。ISO6521-Q1具有两个隔离通道，两个通道方向相反。输入电源或信号丢失时，不带后缀F的器件默认输出高电平，带后缀F的器件默认输出低电平。这些器件有助于防止混合电压域系统数据总线（如CAN和LIN）上的地环路和噪声电流导致数据损坏。通过芯片设计和布局技术，ISO652x-Q1器件的电磁兼容性得到显著提升，以简化系统级ESD和辐射合规性。
商品特性
- 双通道CMOS输出功能隔离器
- 50Mbps数据速率
- AEC-Q100认证，器件温度等级1环境工作温度范围为-40℃ 至 +125℃
- 采用坚固的SiO2隔离屏障，典型CMTI为±150kV/μs
- 功能隔离（8-D封装）:450 V RMS、637 V DC工作电压；707 V RMS、1000 V DC瞬态电压（60s）
- 宽电源范围:1.71V至1.89V以及2.25V至5.5V
- 支持1.71V至5.5V电平转换
- 提供默认输出高（ISO652x-Q1）和默认输出低（ISO652xF-Q1）选项
- 3.3V 1Mbps条件下典型每通道电流为1.8mA
- 低传播延迟:3.3V条件下典型值为11ns
- 强大的电磁兼容性（EMC），具备系统级ESD、EFT和浪涌抗扰度，超低辐射
- 提供窄体SOIC（8-D）封装选项
应用领域
- 车身电子和照明
- 高端音频
- 启动发电机
- 电池管理系统（BMS）
- 主动悬架