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MDE1991RH
N沟道 100V 120A
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- 品牌名称
- MagnaChip(美格纳)
- 商品型号
- MDE1991RH
- 商品编号
- C46547714
- 商品封装
- TO-263
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 2.296125克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 120A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 3.7mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 223W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.9V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 115nC |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 7.3nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 50pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | - | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 1.36nF | |
| 栅极电压(Vgs) | ±20V |
商品概述
采用先进的Magnachip MV MOSFET技术，提供优异的导通电阻性能、快速开关性能和卓越的品质。这些器件也可用于工业应用，例如电动自行车的低功率驱动、DC/DC转换器以及通用应用。
商品特性
- V_DS = 100V
- I_D = 120A @ V_GS = 10V
- 极低的导通电阻 RDS(ON) < 4.4 mΩ @VGS = 10V
- 100% UIL测试
- FPV322513E480PKT
- 4D03WGF8202T5E
- 3DD13003
- VP4C0391C101MVTM
- ES2J_R1_00101
- RTG1210KR250FTG
- MWLA1206S-680MT
- MWFC0402S-R10MT
- VHF060303HQ1N8BT03
- ABD03K6811FT
- VHF060303HQ3N9BT03
- MWSD1005C4N3GT
- VHF060303HQ2N2BT03
- RS-1210K183JT
- VHF060303HQ1N0BT03
- VHF060303HQR12JT03
- RTE05KR430FTG
- MX25UM51245GXDQ00Y
- CL05C010BB51PNC
- ABC02K4020FT
- RS-03K10R0DT