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NSH300N15P3
N沟道增强型屏蔽栅沟槽功率MOSFET
- 描述
- 低内阻使导通损耗小,小QG减小开关损耗。应用：大功率适配器和LED电源次级侧同步整流或LLC谐振电路。
- 品牌名称
- NH(纽航)
- 商品型号
- NSH300N15P3
- 商品编号
- C46352557
- 商品封装
- PDFN3x3-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.060029克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 150V | |
| 连续漏极电流(Id) | 29A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 30mΩ@10V,20A | |
| 耗散功率(Pd) | 52W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 12nC | |
| 输入电容(Ciss) | 875pF@75V | |
| 反向传输电容(Crss) | 9.4pF@75V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
9435是高单元密度的沟槽式P沟道MOSFET，为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻（RDSON）和栅极电荷。 9435符合RoHS标准和绿色产品要求，并通过了全功能可靠性认证。 提供绿色环保器件 超低栅极电荷 出色的CdV/dt效应抑制 先进的高单元密度沟槽技术
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