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CBM8551AS8
单电源、轨到轨输入/输出、零漂移CMOS运算放大器
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- 描述
- CBM855X 放大器是单/双/四电源、微功耗、零漂移 CMOS 运算放大器，该放大器带宽为 1.8MHz，具备轨到轨输入和输出能力，单电源供电范围为 1.8V 至 5.5V。CBM855X 采用斩波稳定技术，可提供极低的失调电压（最大小于 5μV），且温度漂移近乎为零。每路放大器的静态电源电流低至 180μA，输入偏置电流低至 20pA，使其成为低失调、低功耗和高阻抗应用的理想选择
- 品牌名称
- Corebai(芯佰微)
- 商品型号
- CBM8551AS8
- 商品编号
- C476332
- 商品封装
- SOIC-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.11克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 精密运放 | |
| 放大器数 | 单路 | |
| 增益带宽积(GBP) | 1.8MHz | |
| 输入偏置电流(Ib) | 20pA | |
| 输入失调电压(Vos) | 1uV | |
| 共模抑制比(CMRR) | 110dB | |
| 压摆率(SR) | 0.95V/us | |
| 输出电流 | 65mA | |
| 轨到轨 | 轨到轨输入,轨到轨输出 |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入失调电压温漂(Vos TC) | 30nV/℃ | |
| 静态电流(Iq) | 180uA | |
| 工作温度 | -45℃~+125℃ | |
| 单电源 | 1.8V~5.5V | |
| 双电源(Vee ~ Vcc) | 900mV~2.75V；-2.75V~-900mV | |
| 最大电源宽度(Vdd-Vss) | 5.5V | |
| 噪声密度(eN) | 38nV/√Hz@1kHz | |
| 输入失调电流(Ios) | 10pA |
商品概述
CBM855X放大器是单/双/四电源、微功耗、零漂移CMOS运算放大器，该放大器带宽为1.8MHz，具备轨到轨输入和输出，单电源工作电压范围为1.8V至5.5V。CBM855X采用斩波稳定技术，可提供极低的失调电压（最大小于5μV）和近乎零的温度漂移。每个放大器的静态电源电流低至180μA，输入偏置电流低至20pA，使其成为低失调、低功耗和高阻抗应用的理想选择。CBM855X具有出色的共模抑制比（CMRR），且不存在传统互补输入级的交越问题。这种设计在驱动模数转换器（ADC）时能实现卓越性能，不会降低差分线性度。 CBM8551提供SOT23 - 5和SOP - 8封装。CBM8552提供MSOP - 8和SOP - 8封装。CBM8554四通道放大器提供绿色SOP - 14和TSSOP - 14封装。在所有电源电压下，扩展的温度范围为 - 45°C至 + 125°C，为设计提供了更大的灵活性。
商品特性
- 单电源工作电压范围：+1.8V ~ +5.5V
- 轨到轨输入/输出
- 增益带宽积：1.8MHz（典型值，@25°C）
- 低输入偏置电流：20pA（典型值，@25°C）
- 低失调电压：30μV（最大值，@25°C）
- 静态电流：每个放大器180μA（典型值）
- 工作温度： - 45°C ~ +125°C
- 零漂移：0.03μV/°C（典型值）
- 内置射频抗电磁干扰（EMI）滤波器
- 小封装：CBM8551提供SOT23 - 5和SOP - 8封装，CBM8552提供MSOP - 8和SOP - 8封装，CBM8554提供SOP - 14和TSSOP - 14封装
应用领域
- 传感器应用
- 温度测量
- 电子秤
- 手持式测试设备
- 电池供电仪器
优惠活动
购买数量
(2500个/圆盘，最小起订量 1 个)个
起订量：1 个2500个/圆盘
总价金额：
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