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TSU5N65M
1个N沟道 耐压:650V 电流:3A
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- 描述
- 该功率MOSFET采用先进的平面条纹DMOS技术。该先进技术专门用于最小化导通电阻，提供卓越的开关性能，并在雪崩和换向模式下承受高能量脉冲。这些器件非常适合高效开关模式电源、基于半桥拓扑的有源功率因数校正。
- 品牌名称
- Truesemi(信安)
- 商品型号
- TSU5N65M
- 商品编号
- C475511
- 商品封装
- TO-251
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 0.589克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 连续漏极电流(Id) | 3A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 3.27Ω@10V,1.5A | |
| 耗散功率(Pd) | 58W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 16nC@480V | |
| 输入电容(Ciss) | 560pF@25V | |
| 反向传输电容(Crss) | 7pF@25V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
优惠活动
购买数量
(80个/管，最小起订量 5 个)个
起订量：5 个80个/管
总价金额：
￥ 0.00近期成交2单
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