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TSF4N90M
1个N沟道 耐压:900V 电流:2.53A
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- 描述
- 此功率MOSFET采用先进的平面条纹DMOS技术生产。该先进技术经过特别设计，可最大程度降低导通电阻，提供出色的开关性能，并能承受雪崩和换向模式下的高能量脉冲。这些器件非常适合用于高效开关电源、基于半桥拓扑的有源功率因数校正。
- 品牌名称
- Truesemi(信安)
- 商品型号
- TSF4N90M
- 商品编号
- C475513
- 商品封装
- TO-220FP-3
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.886克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 900V | |
| 连续漏极电流(Id) | 2.53A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 4.2Ω@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 40W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 22nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 750pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 12pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 62pF |
商品概述
这款功率MOSFET采用东微半导体（Truesemi）先进的平面条纹DMOS技术制造。该先进技术经过特别设计，可将导通电阻降至最低，提供卓越的开关性能，并能在雪崩和换向模式下承受高能脉冲。这些器件非常适合用于高效开关模式电源、基于半桥拓扑的有源功率因数校正。
商品特性
- 漏源击穿电压:BVDSS = 900V(最小值)
- 低栅极电荷:Qg = 22nC(典型值)
- 低漏源导通电阻:RDS(on) = 4.2Ω(最大值)
- 100%雪崩测试
- 符合RoHS标准的器件