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WTM08N70AD
700V N沟道 Multi-EPI 超结MOSFET
- 描述
- N沟道 漏源电压(Vdss): 700V 连续漏极电流(Id): 8A 功率(Pd): 125W 导通电阻(RDS(Pd)@Vgs,Id): 600mΩ@10V,3.5A 阈值电压(Vgs(th)@Id):2V@250uA
- 品牌名称
- WPMtek(维攀)
- 商品型号
- WTM08N70AD
- 商品编号
- C46079386
- 商品封装
- TO-252
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.45克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 700V | |
| 连续漏极电流(Id) | 8A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 600mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 125W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 18nC | |
| 输入电容(Ciss) | 494pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 1.7pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 输出电容(Coss) | 27pF |
商品概述
这款功率MOSFET采用WPMtek的先进超结技术制造。 这项先进技术经过特别设计，可将传导损耗降至最低，提供卓越的开关性能，并能在雪崩和换向模式下承受高能量脉冲。 这些器件非常适合用于开关模式操作下的AC/DC电源转换，以实现更高的效率。
商品特性
- 8A、700V，RDS(on)典型值 = 0.52Ω（VGS = 10V时）
- 低栅极电荷（典型值18nC）
- 高耐用性
- 快速开关
- 100%经过雪崩测试
- 改善的dv/dt能力
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