AP30P30Q
1个P沟道 耐压:30V 电流:30A
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- 描述
- AP30P30Q将先进的沟槽MOSFET技术与低电阻封装相结合，可实现极低的导通电阻RDS(ON)。该器件非常适合用于负载开关和电池保护应用。
- 品牌名称
- ALLPOWER(铨力)
- 商品型号
- AP30P30Q
- 商品编号
- C471913
- 商品封装
- PDFN3333-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.047克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 30A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 10mΩ@5V,5A | |
| 耗散功率(Pd) | 1.5W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 800mV | |
| 栅极电荷量(Qg) | 35nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.15nF@10V | |
| 反向传输电容(Crss) | 320pF@10V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
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