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AP0903Q
1个N沟道 耐压:30V 电流:16A
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- 描述
- 先进功率MOSFET为设计人员提供了快速开关、坚固耐用的器件设计、低导通电阻和高性价比的最佳组合。PMPAK 3×3封装专为DC-DC转换器应用而设计，采用背面散热片，高度低至1.0mm。
- 品牌名称
- ALLPOWER(铨力)
- 商品型号
- AP0903Q
- 商品编号
- C471918
- 商品封装
- PMPAK(3x3)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.046克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 16A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 9mΩ@10V,10A | |
| 耗散功率(Pd) | 3.5W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 8.7nC | |
| 输入电容(Ciss) | 1.01nF@15V | |
| 反向传输电容(Crss) | 125pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
先进功率MOSFET为设计师提供了快速开关、耐用器件设计、低导通电阻和高性价比的最佳组合。 PMPAK 3 x 3封装特别适用于DC - DC转换器应用，且带有背面散热片，高度降低至1.0mm。
商品特性
~~- 驱动要求简单-散热性能良好-低导通电阻-符合RoHS标准且无卤
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