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TK13A60D(STA4,X,M)
用于开关稳压器应用的硅N沟道MOS型（T-MOSVII）场效应晶体管
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- 描述
- 特性：低漏源导通电阻：RDS(ON) = 0.33Ω（典型值）。 高正向传输导纳：|Yfs| = 6.5S（典型值）。 低泄漏电流：IDSS = 10μA（最大值）(VDS = 600V)。 增强模式：Vth = 2.0±0.4.0V (VDS = 10V, ID = 1mA)
- 品牌名称
- TOSHIBA(东芝)
- 商品型号
- TK13A60D(STA4,X,M)
- 商品编号
- C471288
- 商品封装
- TO-220
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.56克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | - | |
| 漏源电压(Vdss) | 600V | |
| 连续漏极电流(Id) | 43A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 330mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 50W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V@1mA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 40nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.3nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 10pF | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 250pF |
商品特性
- 低漏源导通电阻：RDS(ON) = 0.33Ω（典型值）
- 高正向传输导纳：|Yfs| = 6.5 S（典型值）
- 低漏电流：IDSS = 10μA（最大值）（VDS = 600V）
- 增强型：Vth = 2.0 至 4.0V（VDS = 10V，ID = 1mA）
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