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TK8A60DA(STA4,X,S)实物图
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TK8A60DA(STA4,X,S)

N沟道 耐压:600V 电流:7.5A

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描述
特性：低漏源导通电阻：RDS(ON) = 0.8Ω（典型值）。 高正向传输导纳：|Yfs| = 4.0S（典型值）。 低漏电流：IDSS = 10μA（最大值）(VDS = 600V)。 增强模式：Vth = 2.0 至 4.0V (VDS = 10V, ID = 1mA)
品牌名称
TOSHIBA(东芝)
商品型号
TK8A60DA(STA4,X,S)
商品编号
C471289
商品封装
TO-220F-3​
包装方式
管装
商品毛重
2.36克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量-
漏源电压(Vdss)600V
连续漏极电流(Id)7.5A
导通电阻(RDS(on))800mΩ@10V
耗散功率(Pd)45W
属性参数值
阈值电压(Vgs(th))4V@1mA
栅极电荷量(Qg)20nC@10V
输入电容(Ciss)1.05nF
反向传输电容(Crss)5pF
类型N沟道
输出电容(Coss)100pF

数据手册PDF

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